X射線光電子能譜（XPS，全稱為X-rayPhotoelectronSpectroscopy）是一種基于光電效應(yīng)的電子能譜，它是利用X射線光子激發(fā)出物質(zhì)表面原子的內(nèi)層電子，通過對這些電子進(jìn)行能量分析而獲得的一種能譜。這種能譜zui初是被用來進(jìn)行化學(xué)分析，因此它還有一個(gè)名稱，即化學(xué)分析電子能譜（ESCA，全稱為ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis）

   光電離幾率和XPS的信息深度

（1）光電離幾率

定義:光電離幾率(光電離截面Ó)：一定能量的光子在與原子作用時(shí)，從某個(gè)能級激發(fā)出一個(gè)電子的幾率；?
影響因素:與電子殼層平均半徑，入射光子能量，原子序數(shù)有關(guān)；
在入射光子能量一定的前提下，同一原子中半徑越小的殼層,Ó越大；
電子的結(jié)合能與入射光子的能量越接近,Ó越大。
Ó越大說明該能級上的電子越容易被光激發(fā)，與同原子其它殼層上的電子相比，它的光電子峰的強(qiáng)度越大。

（2）XPS信息深度

    樣品的探測深度通常用電子的逃逸深度度量。

   電子逃逸深度λ（Ek）：逸出電子非彈性散射的平均自由程；

λ：金屬0.5~3nm；氧化物2~4nm；有機(jī)和高分子4~10nm；通常：取樣深度d=3λ

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